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IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進行驗證。
海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。
英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對下一代英特爾至強可擴展平臺和英特爾數(shù)據(jù)中心認證內(nèi)存程序的一代產(chǎn)品。
?與此同時，海力士還表示，應(yīng)用于下一代英特爾至強可擴展平臺的 1anm DDR5（其中第一個兼容性測試已經(jīng)完成）也正在進行中。
IT之家附海力士發(fā)展與 DDR5 產(chǎn)品的歷史：
2020 年 10 月推出 DDR5
2021 年 12 月首批 24 Gb DDR5 樣品出貨
2023 年 1 月獲得 1anm DDR5 的英特爾服務(wù)器驗證
2023 年 4 月向英特爾提供服務(wù)器 1bnm DDR5 樣品
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